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应用领域

存储器及感光器件




半浮栅存储器


传统的1T-1C DRAM单元由一个晶体管和一个电容器构成,通常大小为8-12F2,尽管6F2的技术也已经出现,但是其工艺极其复杂,成本很难降下来。传统工艺的复杂性是由1T-1C单元中的电容器所造成的,它已经成为了存储器尺寸进一步缩小的瓶颈。其原因在于DRAM的逻辑状态是由存储在电容器中的电荷数量来决定的,这个电荷数量不能低于一定的界限,否则将因为数据保持时间短而无法分辨其逻辑状态。电荷数量是主要取决于电容器的电容量,因此电容器很难缩小下去。另一方面,现有的工艺水平要将电容器缩小需要更新设备并且很难保证漏电流等参数的稳定,因此很难提高成品率,延长了研发周期。1T-1C的这些劣势也将DRAM厂商无一幸免地拉到了亏损或微盈利的境地。穷则生变,各大厂商目前正积极寻找1T-1C技术的替代概念。

很多人曾尝试取代1T-1C技术但目前还没有人真正成功,唯一值得一提的是一种最近几年被热烈讨论的所谓的“无电容”存储单元技术,它的工作原理基于晶体管的floating body效应。虽然它具有结构更加简单的优点,但是其狭窄的感应区间和温度不稳定性以及需使用昂贵的SOI硅片等问题使其至今仍只能是“实验室技术”而无法得到业界的广泛使用。即便如此,仍有提供该技术的公司 (如Innovative Silicon Inc.)在IDM处获得数千万美元的授权费用开发基于此技术的产品,其原因很简单:在传统动态存储器技术无利可图的情况下,人们只能寄希望于其他替代技术,即使它仍只是“实验室技术”。

包括最近的国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting),迄今为止还没有人提出类似于我们的单元技术,因此我们可以确信我们所发明的技术是目前世界上唯一的。东微半导体提出的SFG器件存储器单元相对现有的1T-1C存储器单元及floating body cell (FBC)存储器单元有压倒性的优势。


半浮栅图像传感器


固态图像传感器是利用光电器件的光电转换功能,将其感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的“图像”电信号的一种功能器件。而固态图像传感器是指在同一半导体衬底上布设的若干光敏单元和移位寄存器构成的集成化、功能化的光电器件。固态图像传感器的结构有线列阵和面列阵两种形式,它将光强的空间分布转换为与光强成比例的大小不等的电荷包空间分布,然后通过移位寄存器将这些电荷包形成一系列幅值不等的时序脉冲序列输出。也就是固态图像传感器利用光敏单元的光电转换功能将投射到光敏单元上的光学图像转换成“图像”电信号。固态图像传感器具有体积小、重量轻、析像度高、功耗低和低电压驱动等优点。目前已广泛应用于图像处理、电视、自动控制、测量和机器人等领域。它分为CCD和CMOS两种。目前CMOS图像传感器拥有压倒性市场占有率,但它还面临着填充率低和结构复杂等缺点。东微半导体有限公司计划充分发挥SFGT器件的优点,开发基于此技术的图像传感器产品,由此占领这一巨大的市场。

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