IGBT系列-苏州东微半导体股份有限公司

产品信息

GreenMOS

SGTMOS

IGBT

SiC MOS

Hybrid FET

IGBT

东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1350V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列（E系列）TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。

下载资料

Package	P/N	V_GE (V)	BV (V)	I_C (A)	V_{th_typ}(V)	V_on(V)
Package	P/N	V_GE (V)	BV (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	V_cesat	V_f
All TO-247 TO-220F TO-220 TO-263 TO-252 TO-247-plus TO-247-4L		All 20	All 1350 650 600 800 1200 750

封装	料号	VGE (V)	BV (V)	IC (A) TA=25	Vth_typ(V)	Von(V) Vcesat	Von(V) Vf

应用领域

产品信息

新闻中心

公司动态

关于东微

苏州总部

深圳业务支持中心

地址：苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东南区65栋
电话：0512-62534962 苗先生
邮箱：yue.miao@orientalsemi.com

地址：深圳市南山区西丽街道创智云城A7栋19楼1905室
电话：0755-83229660 卢先生(Robin)
邮箱：robin.lu@orientalsemi.com

地址：上海市松江区泗泾镇文化路298号(201601)
电话：
邮箱：enquiry@orientalsemi.com

地址：广州市黄埔区科学城科学大道18号A栋623单元(510507）
电话：
邮箱：enquiry@orientalsemi.com

产品列表