IGBT系列-苏州东微半导体股份有限公司

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SGTMOS

IGBT

SiC MOS

Hybrid FET

IGBT

东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1350V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列（E系列）TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。

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Package	P/N	V_GE (V)	BV (V)	I_C (A)	V_{th_typ}(V)	V_on(V)
Package	P/N	V_GE (V)	BV (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	V_cesat	V_f
All TO-247 TO-220F TO-220 TO-263 TO-252 TO-247-plus TO-247-4L		All 20	All 1350 650 600 800 1200

封装	料号	VGE (V)	BV (V)	IC (A) TA=25	Vth_typ(V)	Von(V) Vcesat	Von(V) Vf

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