发布时间：2012-09-28来源：
在东微半导体团队的坚持和不懈努力下，2012年9月，世界上首个半浮栅晶体管（Semi-Floating gate Transistor）被研制成功，作为一种新型的基础器件，半浮栅晶体管可应用于SRAM（即静态随机存储器）和DRAM（即动态随机存储器领域）。半浮栅晶体管还可以应用于主动式图像传感器芯片（APS），由单个半浮栅晶体管构成的新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上，感光单元密度提高，使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到提升。
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