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    • 东微半导体自主研发的SGT-MOS实现量产

    发布时间：2016-12-30来源：
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    通过潜心自主研发，2016年12月，东微半导体的SGT-MOS实现量产，SGT-MOS采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

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