SiC MOS苏州东微半导体股份有限公司

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SiC MOSFET

第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，研发了SiC MOSFET。

SiC MOSFET具有高功率密度、低反向恢复电荷、高开关频率的特性，工作温度高达200°C，可以完美替代Si IGBT在高压大功率领域的应用。

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Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	V_{th_typ}(V)	R_on (Ω)
Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	18V
All TO247 TO247-4L TO247-plus TO263 TO263-7L TO247-4L-NL TOLL		All N Dual N P	All 1200V 650V	All 30 20 15 -8/+22 -20 12

封装	料号	配置	VDS (V)	VGS (V)	ID (A) TA=25	Vth_typ(V)	Ron (Ω) 2.5v

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