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半浮栅晶体管原创成果在美国《science》杂志上发表
2013-08-09
2013年8月,东微半导体原创的半浮栅晶体管技术论文在美国《science》杂志上发表,标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破。
东微半导体制造出世界上首个半浮栅晶体管
2012-09-28
在东微半导体团队的坚持和不懈努力下,2012年9月,世界上首个半浮栅晶体管(Semi-Floating gate Transistor)被研制成功,作为一种新型的基础器件,半浮栅晶体管可应用于SRAM(即静态随机存储器)和DRAM(即动态随机存储器领域)。
东微半导体获苏州工业园区领军人才计划项目支持
2009-03-31
2009年3月,在苏州园区科技园和投资机构的多方协助下,东微半导体以先进的技术领先因素和坚定的创业决心,获得苏州工业园区领军人才计划项目支持,并拿到了原点创投400万元的资金扶持,在原点创投的孵化基地里,东微半导体开始了创业征程。
东微创始人注册成立苏州东微半导体有限公司
2008-09-12
2008年,看到国内半导体集成电路行业的蓬勃发展,为了将先进的半导体器件技术留在中国,东微创始人龚轶和王鹏飞毅然决然的放弃在德国工作的优厚福利待遇以及即将拿到的德国绿卡,退掉德国社保回国创业,在2008年9月12日在苏州注册成立苏州东微半导体有限公司。
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