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公司动态
科技部副部长曹健林视察东微半导体
2014-05-06
2014年5月,在省政协副主席、省科技创新工作领导小组副组长徐南平及市委副书记、市长周乃翔的陪同下,科技部副部长曹健林视察东微半导体研发进展,高度赞扬了东微半导体在基础元器件上下的功夫和创新能力,鼓励团队加速产业化,打破国外厂商的垄断。
半浮栅晶体管原创成果在美国《science》杂志上发表
2013-08-09
2013年8月,东微半导体原创的半浮栅晶体管技术论文在美国《science》杂志上发表,标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破。
东微半导体制造出世界上首个半浮栅晶体管
2012-09-28
在东微半导体团队的坚持和不懈努力下,2012年9月,世界上首个半浮栅晶体管(Semi-Floating gate Transistor)被研制成功,作为一种新型的基础器件,半浮栅晶体管可应用于SRAM(即静态随机存储器)和DRAM(即动态随机存储器领域)。
东微半导体获苏州工业园区领军人才计划项目支持
2009-03-31
2009年3月,在苏州园区科技园和投资机构的多方协助下,东微半导体以先进的技术领先因素和坚定的创业决心,获得苏州工业园区领军人才计划项目支持,并拿到了原点创投400万元的资金扶持,在原点创投的孵化基地里,东微半导体开始了创业征程。
东微创始人注册成立苏州东微半导体有限公司
2008-09-12
2008年,看到国内半导体集成电路行业的蓬勃发展,为了将先进的半导体器件技术留在中国,东微创始人龚轶和王鹏飞毅然决然的放弃在德国工作的优厚福利待遇以及即将拿到的德国绿卡,退掉德国社保回国创业,在2008年9月12日在苏州注册成立苏州东微半导体有限公司。
东微率先量产充电桩用核心半导体器件,打破国外垄断东微率先量产充电桩用核心半导体器件,打破国外垄断
2020-01-06
4月12日,东微半导体宣布正式量产充电桩用高压高速MOSFET产品-GreenMOS,打破了这一领域国外厂商的垄断。人民日报等媒体均进行报道:
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