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东微半导体成立于2008年,注册资本4758.2182万元,是一家技术驱动型的半导体技术公司,在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累,专注半导体器件技术创新,拥有多项半导体器件核心专利。 2013年下半年,东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表,标志着首次国内科学家在半导体核心技术方向获得的重大突破。新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道,引起了国内外业界的高度关注。2016年东微自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产,打破国外厂商垄断。目前,东微半导体已成为国内高性能功率半导体领域的领头羊,在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步,产品进入多个国际一线客户,受到客户一致好评。

 

2019

东微半导体的创新型IGBT进入量产,性能达到国际一流。

2018

东微半导体的GreenMOS大功率超级结MOSFET市场占有率在国内品牌中居首位,在充电桩等高端应用遥遥领先。

2016

东微半导体发明的原创结构的SFGMOS实现量产,进入新能源汽车驱动、电池保护及同步整流等应用领域。

2016

东微半导体的新能源汽车充电桩用核心功率芯片成功量产,成为国内首个进入充电桩核心芯片领域的厂商,被人民日报等主流媒体普遍报道。

2014

东微半导体开始量产国产化超级结系列高压大功率MOSFET,成为国内首个量产工业级大功率系列高压MOSFET的厂商。

2013

半浮栅器件技术论文在美国《科学》期刊上正式发表,成为国内首次,8月9日被新闻联播头条长篇报道。团队受到时任江苏省省长李学勇、科技部副部长曹建林等领导接见。


2012

东微半导体制造出世界上首个半浮栅晶体管(Semi-Floating Gate Transistor),可用于新型存储器,感光器件及功率器件等应用。

2009

东微半导体获得苏州工业园区领军人才计划项目支持。

2008

苏州东微半导体有限公司在苏州工业园区注册成立,专注于原创半导体器件结构和工艺的创新和研发。

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