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中低压SGTMOS系列

东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构,兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点,并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列,可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

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Package   P/N   Cfg. VDS (V) VGS (V) ID (A) Vth_typ(V) Ron (Ω)
Tc=25℃ 10V 4.5V

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