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联电协助力旺导入28纳米高压制程,未来预计强攻OLED市场

发布时间:2020-02-03来源:

晶圆代工大厂联电20日宣布,IC设计公司力旺一次可编程(OTP)存储器矽智财NeoFuse已成功导入联电28纳米高压(HV)制程,强攻有机发光二极管(OLED)市场,关键客户已经完成设计定案(Tape Out),并且准备量产。

联电表示,高端手机配备OLED显示器已然成为趋势,对小尺寸显示器驱动芯片(SDDI)效能要求亦更高,这样的需求也显示在制程平台的选择上,OLED关键客户逐渐从55纳米或40纳米往更先进的28纳米高压制程靠拢。

而28纳米高压制程可使高效能显示器引擎的复杂运算能力发挥大功能,提供OLED显示器驱动芯片更快的资料存取速度,更高容量的静态随机存取存储器(SRAM_及更好功耗,同时达到高画质与省电的目的。

目前联电在2019年的小尺寸显示器驱动芯片(SDDI)量产晶圆出货量为全球之冠,其28纳米后闸式(Gate-Last)HKMG制程具备优越管理漏电功耗与动态功率表现,可以提升移动设备的电池寿命,以此为基础,其28纳米高压制程提供业界小的静态随机存取存储器(SRAM)记忆单位(Bit-cell)以减少芯片整体面积。

至于,力旺是世界领导之逻辑非挥发性存储器矽智财厂商,NeoFuse矽智财为各种类型之应用提供低功耗、高可靠度、高安全性的解决方案,已经广泛布建于世界各大晶圆厂,从0.15um制程至先进制程节点均已布建,未来也将继续与晶圆厂紧密合作,为客户创造大利润与价值。

事实上,近来联电受惠于购并日本12寸新厂加入营运,加上通讯与电脑市场领域新品布建及库存回补需求,使得在5G手机射频芯片、OLED驱动芯片,及用于电脑周边和固态硬盘的电源管理芯片的推升下,带动出货量成长。2019年第4季,联电合并营收418.49亿元,较第3季成长10.89%,较2018年同期增加17.17%,创新高纪录。累计,2019年全年合并营收新台币1,482.02亿元,较2018年减2.02%。

信息来源:全球半导体观察官网(www.dramx.com)

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