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东微半导体制造出世界上首个半浮栅晶体管

发布时间:2012-09-28来源:

在东微半导体团队的坚持和不懈努力下,2012年9月,世界上首个半浮栅晶体管(Semi-Floating gate Transistor)被研制成功,作为一种新型的基础器件,半浮栅晶体管可应用于SRAM(即静态随机存储器)和DRAM(即动态随机存储器领域)。半浮栅晶体管还可以应用于主动式图像传感器芯片(APS),由单个半浮栅晶体管构成的新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上,感光单元密度提高,使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到提升。

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