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东微半导体自主研发的SGT-MOS实现量产

发布时间:2016-12-30来源:

通过潜心自主研发,2016年12月,东微半导体的SGT-MOS实现量产,SGT-MOS采用半浮栅结构,兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点,并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点,可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

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