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创新技术

SFGMOS技术

半浮栅存储器:
  半浮栅存储器是通过栅控二极管对浮栅进行充放电,从而改变浮栅电势,进而改变MOS阈值电压。半浮栅晶体管是继MOSFET和浮栅MOSFET之后发明的一种全新的基础微电子器件。这一中国原创成果于2013年8月9日发表在美国科学杂志上,标志着我国半导体核心技术获得了一次重大突破。由于采用了成熟的硅加工工艺,产业化的成功率得到了大大的提高。


半浮栅存储器


半浮栅图像传感器:

  半浮栅图像传感器是通过感光二极管对浮栅进行充放电,从而改变浮栅电势,进而改变MOS管的阈值电压。


半浮栅图像传感器

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